Une méthode d'imagerie sur objets massifs est proposée. l'impact d'un faisceau modulé d'électrons ou laser génère des ondes acoustiques dans un solide. Dans le silicium, la création d'un gradient thermique et d'une population de porteurs en excès est à l'origine de l'apparition d'ondes élastiques. Nous proposons une modélisation de ces deux phénomènes pour dégager leur importance relative sur le signal acoustique total et analyser l'influence des caractéristiques générales du semiconducteur (durée de vie des porteurs, vitesse de diffusion électronique...). Nous mettons en évidence l'intérêt d'une telle méthode pour la détection des défauts en subsurface dans le silicium
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