Stress-dependence of triboluminescence (TBL) in uranyl nitrate, tartaric acid and other nine crystals has been studied with the help of a new technique of crushing the crystals. As the appearance of TBL needs the creation of new surfaces in a crystal, the minimum stress a t which TBL appears has been taken to be the fracture-strength of the crystal. The value of the fracture-strength and stress coefficient of binding energy determined from TBL measurements are found to be of correct order. It has been found that the rate of rise of TBL intensity with stress is higher for those crystals which have less value of the fracture-strength. The fracture strength (a,) is found to be higher for those crystals which have less value of stress coefficient of binding energy (8) and the product of a , and ,!I is higher for those crystals which have higher melting point. It has been shown that the rate of rise of TBL intensity with stress decreases a t higher values of stress due to strain hardening in the crystals.Die Spannungsabhangigkeit der TBL in Uranylnitrat, Weinskure und weiteren neun Kristallen wurde mit Hilfe einer neuen Bruchtechnik untersucht. Da das Erscheinen der TBL die Entstehung neuer Oberflachen im Kristall erfordert, wurde die unterste Grenze der Spannung, bei der die TBL auftritt, als dessen Bruchfestigkeit gewiihlt. Der Wert der Bruchfestigkeit und des Spannungskoeffizienten der Bindungsenergie, die aus TBL-Messungen ermittelt wurden, sind von der richtigen GroBenordnung. Es wurde gefunden, daB die Geschwindigkeit des Anstiegs der TBL-Intensitat mit der Spannung fiir solche Kristalle hoher liegt, deren Bruchfestigkeit niedriger ist. Die Bruchfestigkeit (a,) lie@ hoher fiir solche Kristalle, deren Spannungskoeffizient der Bindungsenergie (B) geringer ist, und das Produkt von a , und ,!I ist groJ3er fiir Kristalle mit hoherem Schmelzpunkt. Es wird gezeigt, daB die Anstiegsgeschwindigkeit der TBL-Intensitat mit der Spannung abnimmt bei hoheren Werten der Spannung infolge der Kaltverfestigung des Kristalls.
Emission of light is found during application as well as release of uniaxial pressure in X-ray irradiated alkali halide crystals. As unpinning of dislocations can not take place, however, dislocations can move in backward directions during release of the pressure ; the emission of light during release of pressure gives a direct support that the interaction of moving dislocations with F-centers is responsible for the emission of light during deformation of colored alkali halide crystals.Sowohl bei der Anwendung von Druck als auch bei Druckentlastung wird Lichtemission in rontgenbestrahlten Alkalihalogenidkristallen beobachtet. Da Versetzungsloslosung von F-Zentren jedoch nicht eintreten kann, konnen die Versetzungen wahrend der Druckentlastung zuriickwandern. Die Lichtemission wiihrend der Druckentlastung unterstutzt die Annahme, daB die Wechselwirkung der wandernden Versetzungen mit den F-Zentren fur die Lichtemission wiihrend der Verformung von farbigen Alkalihalogenidkristallen verantwortlich ist.
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