2014 L'élaboration du silicium photovoltaïque exige de savoir contrôler de façon permanente sa pureté chimique et ses propriétés physiques. Les nombreuses études développées au cours des dernières années ont montré le rôle critique de certaines impuretés. Toutefois les travaux sur les associations chimiques capables d'apparaître au cours de l'histoire thermique du matériau font défaut Ainsi n'est-il pas alors étonnant de constater que les propriétés photovoltaïques d'un même matériau semblent dépendre des phases d'élaboration de la structure cristalline (C.Z., Bridgman, H.E.M....) [1-6], les impuretés subissant des ségrégations dans la phase liquide, aux joints de grain ou dans des combinaisons chimiques avec les laitiers de protection des creusets. Parmi les techniques d'élaboration du silicium photovoltaïque nous avons cherché à développer la méthode originale de fusion de zone sous plasma inductif d'argon [5,6]. La technique qui s'apparente plus à une extraction conjointe solide-liquide, liquide-liquide et liquide-gaz permet l'élaboration à partir du silicium métallurgique d'un silicium polycristallin à gros grain et de très haute pureté.Abstract 2014 Préparation of photovoltaic silicon requires to analyse systematically the purity and physical properties of the material. Numerous studies developped during the last year show the critical effect of a number of impurities which affect the efficiency of the photocell. Nevertheless there still exists a gap in the studies concerning the chemistry combination which can occur between the impurities appearing during all technic operations of the
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