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Spin‐coating technique was used to deposit precursor layers for chalcopyrite films of the series CuInX2 and Cu(In,Ga)X2 where X = S or Se or (S,Se). The influence of different parameters of the process, such as solution composition, air pre‐treatment and chalcogenation treatment is discussed with respect to film applicability in photovoltaic devices. Layer morphology, stochiometry and crystalline structure varied widely with the different compositions and treatments. Highly oriented CuInSe2 and Cu(In,Ga)Se2 films were obtained. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

Title: Preparation of Cu(In,Ga)Se2 photovoltaic absorbers by an aqueous metal selenite coprecipitation route Abstract: In this paper, we report a novel and simple solution-based approach for the fabrication of chalcopyrite Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells. A novel aqueous co-precipitation method based on metal selenites, M2(SeO3)x (M= Cu, In, Ga) precursors, was investigated. The resulting powder, dispersed in a binder to form an ink, was coated on a substrate by doctor blade technique. A soft annealing treatment enabled the reduction into the corresponding metal selenides leading after rapid thermal processing (RTP) to crystalline chalcopyrite absorber. The obtained layer provides good compositional control and adequate morphology for solar cell applications. Doctor blade printing in atmospheric environment offers an opportunity for direct application of the absorber material at largescale. The water-based synthesis is a sustainable and simple procedure, and together with doctor blade printing, provides a potential cost-effective advantage over conventional fabrication processes (vacuum-based deposition techniques).The short circuit current (Jsc), open circuit voltage (Voc), fill factor (FF), and total area power conversion efficiency (Eff.) of the device are 26 mA/cm2, 450 mV, 62%, and 7.2 %, respectively. The effective band gap of 1.12 eV confirmed the Ga-incorporation in the CIGS crystal lattice. 15Abstract 16 In this paper, we report a novel and simple solution-based approach for the fabrication

INTRODUCCIÓNLa posibilidad de utilizar capas delgadas para preparar módulos fotovoltaicos es una alternativa deseada por el enorme ahorro de materiales costosos y la simplificación del proceso de fabricación. Además, el aspecto homogéneo y elegante de estos módulos, así como la libertad de formas y diseños que permiten, los hace atractivos para su integración arquitectónica en edificios. Además, estos sistemas pueden proporcionar grandes extensiones de módulos fotovoltaicos de cara a las demandas crecientes en un futuro próximo. El sistema fotovoltaico de calcopirita Cu(In,Ga)(S,Se) 2 (CIGS) ha sido considerado como una de las más prometedoras tecnologías de células solares para la generación de energía debido a su estabilidad físico-química y sus eficiencias altas (alrededor de ~ 20 %), aproximándose así a las de silicio cristalino [1]. Asimismo, su procesamiento basado en películas delgadas, permite una rápida transferencia del proceso de deposición a grandes áreas, permitiendo su incorporación fácil a escala industrial a costes de fabricación menores. Por otra parte, la gran demanda de Indio en otras tecnologías (como es la industria electrónica) ha provocado un incremento importante de su valor en los mercados, por lo que actualmente es considerada como materia prima critica [2]. En este aspecto, el sistema Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS), que cristaliza en la estructura kesterita, isoestructural con la calcopirita, es una alternativa prometedora, debido a que presenta un "band gap" de 1,5 eV y un elevado coeficiente de absorción (~10 4 cm -1) [3][4][5][6][7][8][9]. Igualmente, dicho sistema es sostenible, ya que destaca por la ausencia de elementos tóxicos, lo que le proporciona un gran atractivo medioambiental, conjuntamente con un ahorro económico importante, debido a la incorporación de materias primas de bajo coste y abundantes en la corteza terrestre [10][11][12][13]. Además, se ha demostrado que la eficiencia de este tipo de células solares aumenta significativamente, sustituyendo parcialmente el S por Se formando una solución sólida Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 (CZTSSe) y obteniendo así una eficiencia record de 9.6 %. [14]. Por todo ello, el sistema CZTSSe presenta un interés significativo para su estudio, desarrollo y aplicación a gran escala en el campo fotovoltaico.En la bibliografía se relatan diversas rutas para la obtención de capas delgadas de tipo CZTS. Dentro de las diferentes clasificaciones existentes, estas las podríamos clasificar en dos grandes grupos: procesos de síntesis en vacío y procesos de no vacío. Dentro del primer grupo destacan la coevaporación [15], sputtering [16][17][18] y deposición mediante laser [19]. Estos métodos de síntesis presentan algunos inconvenientes como es la necesidad de equipamientos específicos con un elevado coste y la formación de fases secundarias durante el proceso de deposición. Con el fin de disminuir los costes y aumentar En el presente trabajo se han sintetizado compuestos con estructura de kesterita Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 mediante métodos de síntesis "hot-injection" y solvote...