2014 Les propriétés d'une nouvelle génération de transistors MOS ont été analysées en fonction de leurs très faibles longueurs de canal qui varient entre 3 03BCm et 0,3 03BCm. L'accent a été mis sur l'étude de leur vieillissement après contrainte électrique variable en intensité, en durée et en température. Nos mesures portent sur les caractéristiques statiques en inversion forte et faible et sur la tension de seuil. La résistance série totale du drain et de la source (40 03A9) est déterminée directement à partir des dispositifs de longueur zéro. Nous montrons que ces MOSFET vieillissent plus fortement lorsque la tension de grille excède la tension de drain. Les caractéristiques des MOSFET très courts (Leff 0,7 03BCm) présentent un effet prononcé de canal court et se dégradent plus rapidement que pour Leff > 1 03BCm; la dérive des caractéristiques n'est pas supprimée même pour des faibles tensions de polarisation (3 V). L'observation d'une plus forte réduction du courant en échangeant source et drain, consolide l'hypothèse d'un vieillissement dû à la création inhomogène d'états d'interface et de charges négatives dans l'oxyde. Abstract. 2014 The properties of a new génération of MOS transistors have been investigated in respect of their very small channel lengths, varying from 3 03BCm down to 0.3 03BCm. In particular we analysed their dégradation during electrical stress, the main paramèters of which were the bias intensity, the duration and the temperature. The static 63
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.