We report results of crystal structure analyses of calcium‐doped lanthanum manganites, La1−xCaxMnO3, obtained by mechanosynthesis. The calcium to lanthanum ratio x was varied from 0 to 1 at increments of 0.1, allowing us to study changes in crystal structure with different degrees of calcium substitution, from LaMnO3 (x=0) to CaMnO3 (x=1). Metallic oxide precursors, Mn2O3, La2O3, and CaO, were mixed in stoichiometric proportions. The powder mixture was milled using a shaker mixer/mill. X‐ray powder diffraction was used to monitor the phase transformation as a function of the milling time. Rietveld refinement was used to structurally characterize the manganites. The results show that it is possible to obtain calcium‐doped lanthanum manganite by mechanosynthesis using a weight ratio of balls to powder of 12:1. After 4.5 h of milling time, the synthesis is completed; the time is independent of the calcium‐doping level. However, increase of the Ca2+ content leads to a monotonic decrease of the orthorhombicity factor b/a for calcium to lanthanum ratios between 0.2 and 0.8. When the doped level is increased, a peak displacement is observed, which is associated with a distortion of the crystal structure and variation in the cell parameter. All the manganites crystallized with the same O‐type orthorhombic perovskite structure as pure LaMnO3, with a space group Pnma. The structural distortion in the orthorhombic lattice with the Ca2+ content is associated with a partial oxidation of the manganese ion, the increment on vacancies, and the cationic substitution.
El objetivo de este trabajo es proporcionar a los estudiantes de electrónica, computación y áreas afines, un panorama de la construcción y funcionamiento de los transistores de efecto de campo de aleta (FinFET), los cuales son dispositivos extremadamente diminutos, con longitud de compuerta en el rango de los nanómetros, se fabrican con la técnica de silicio sobre aislante (SOI). Utilizando FinFETs tipo n y p se diseñaron los diagramas esquemáticos y las formas y dimensiones de los materiales utilizando un código de colores (layouts) de las compuertas lógicas básicas, este tipo de compuertas son la base para el diseño y construcción de la mayoría de los dispositivos digitales utilizados en los aparatos electrónicos modernos, principalmente los portátiles. Con los tamaños tan reducidos de los FinFET se fabrican todos los microprocesadores, los DSPs, las memorias, los chips de los teléfonos celulares y tabletas de las compañías electrónicas más importantes del mundo.
En el presente trabajo de investigación se dan a conocer cuáles son las principales herramientas tecnológicas que integran las CAX, de acuerdo a sus siglas en inglés, mejor conocidas como Computer Aided, en donde “X” significa o puede ser: Tecnología, Diseño, Manufactura, Ingeniería, entre otras. Aunque ciertamente muchos de los trabajos publicados mencionan que las CAX están conformadas por lo menos por las siguientes tres siglas: CAD/CAE/CAM. Es importante resaltar que existen diversas herramientas y/o tecnologías que se pueden combinar entre ellas, las cuales sin duda alguna van a depender de la disciplina o área de conocimiento, donde desean aplicarse, siendo en este caso particular sobre el Diseño Industrial e Ingeniería Industrial, también depende del proyecto que se pretenda desarrollar, el cual puede ser un producto y/o proceso. Y cuál es el impacto que tiene actualmente sobre la Industria 4.0.
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