Electron and hole trapping levels of high density of states determine essentially the conductivity mechanism of P-rhombohedra1 boron. The ionization energy of trapped electrons is much greater than that of trapped holes; so, up to high temperatures, the electrons do not appreciably contribute to the charge transport. From electrical conductivit,y and thermoelectric power a t higher temperatures one obtains the activation energy of the hole mobility (0.19 eV). At low temperatures hopping within the hole trapping level seems t o be the prevailing conductivity mechanism.Haftniveaus groBer Zustandsdichte fur Elektronen und Locher sind fur den Leitungsmechanismus des P-rhomboedrischen Bors von entscheidender Bedeutung. Die Aktivierungsenergic der eingefangenen Elektronen ist wesentlich groBer als die der eingefangenen Locher, so daB die Elektronen bis z u sehr hohen Temperaturen nicht merklich zum Ladungstransport beitragen. Ails elektrischer Leitfahigkeit und Thermokraft bei heheren Temperaturen erhalt man eine Aktivierungsenergie der Locherbeweglichkeit von 0,19 eV. Bei tiefen Temperaturen scheinen hopping-Prozesse inncrhalb des Locherhaftniveaus den dominierenden Leitungsmechanismus darzustellcn.
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