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Several samples of n-type indium antimonide in the doping range 5.7 x 1013 to 3.9 x x 1014 cm+ donors have been investigated. The electrical resistivity has been measured from 1.6 t o 4.2 "K in magnetic fields u p to 5 T. Activation energies el, e2, eQ which are characteristic of the resistivity versus temperature curves are measured and their variation with magnetic field are investigated. A transition from metallic conduction to an activated conduction process is observed for a critical magnetic field the value of which increases with the concentration of impurities. These features are interpreted with an impurity band structure which varies when the magnetic field is increased. A model of the impurity band and its changes with magnetic field are suggested. This model is consistent with the ideas of Mott and Davis on impurity conduction and the D-band model of Fritzsche suggested by Hubbard. These results are comparable with those which have already been obtained in germanium and silicon when the magnetic field or impurity concentrations are varied. La rksistivitk d'kchantillons d'antimoniure d'indium de type n e t de concentrations enimpuretks comprises entre 5,7 x 1013 e t 3,9 x 1014 atomes/cm3 a BtB ktudike. Cette ktude a 6tk faite & polarisation faible, pour des champs magnktiques variables jusque 5 T e t des temperatures comprises entre 1,6 et 4,2 OK. Les Bnergies d'activation el, e2, c3 ont ktB calculkes ainsi que leurs variations avec le champ magnktique B. La transition entre une conduction de type m6tallique et une conduction activke a ktk observke pour une valeur critique de B qui croit avec la concentration en impuretbs. Les ritsultats expkrimentaux ont ktB interpretits par la structure de la bande d'impuretbs qui se modifie avec B. Un modde est proposit ainsi que son Bvolution avec le champ magnbtique. Ce modele est coherent avec les idkes de Mott et Davis sur la conduction par impuretks e t avec le moddle d'une bande D-d'abord proposk par Fritzsche. Ces rksultats sont & comparer aux btudea de rksistivitks faites sur le germanium et le silicium en fonction de la concentration en impuretBs ou du champ magnktique.