Intercalated nanostructures of InSehtd and GaSehtd are fabricated. Phenomena of the negative photocapacitance and the quantum capacitance are visualized for the first nanostructure. The introduction of histidine between indium selenide layers leads to increasing of conductivity anisotropy ( || / ) from 67 to 226. Temperature dependences of a real component of the complex impedance indicate semiconductor mechanism of conductivity along nanolayers with two activation energies of 1.6 meV in lowtemperature region and of 0.25 meV in high-temperature one. An appearance of the giant high-frequency negative magnetoresistance and almost 20-fold photosensibility increasing are observed for the second nanostructure. The conductivity anisotropy ( || / ) of the nanostructure GaSehtd is 10 2 . Temperature dependence of a real component of the complex impedance along the layers within the temperature regions 30Ct10C, 10Ct30C, 30Ct50C demonstrates cardinally different mechanisms of conductivity. Activation energies are 0.35 in low-temperature interval and 0.69 in high-temperature one. Non-activated conductivity mechanism is observed in the range of temperature 10Ct30C. The parameters of the energy spectrum calculated by means of the GeballePollak theory prior to and after the introduction of histidine into both nanostructures are given. It well correlates with experimental data.Сформовано інтеркалянтні наноструктури InSehtd> та GaSehtd. Для першої наноструктури візуалізовано ефекти неґативної фотоємности та квантової ємности. Втілення гістидину між шарами селеніду індію приводить до зростання анізотропії електропровідности || / від 67 до 226. Температурні залежності реальної складової комплексного імпеда-нсу засвідчують напівпровідниковий механізм провідности вздовж ша-рів із двома енергіями активації -у 1,6 меВ у низькотемпературній та у 0,25 меВ у високотемпературній областях. Для другої наноструктури демонструє кардинально відмінні механізми електропровідности. Енер-гії активації становлять 0,35 у низькотемпературному та 0,69 у висо-котемпературному інтервалах. При температурах 10Ct30C спосте-рігається неактиваційний механізм електропровідности. Для двох на-ноструктур наведено значення параметрів зонного спектру до і після втілення гістидину, обчислені за теорією Джебола-Поллака, які добре корелюють з одержаними експериментальними даними.Сформированы интеркалянтные наноструктуры InSehtd и GaSehtd. Для первой наноструктуры визуализированы эффекты отрицательной фотоёмкости и квантовой ёмкости. Внедрение гистидина между слоями селенида индия приводит к росту анизотропии электропроводности || / от 67 до 226. Температурные зависимости реальной составляющей комплексного импеданса свидетельствуют о полупроводниковом меха-низме проводимости вдоль слоёв с двумя энергиями активации -1,6 мэВ в низкотемпературной и 0,25 мэВ в высокотемпературной обла-стях. Для второй наноструктуры наблюдаются 20-кратный рост фото-чувствительности и появление гигантского высокочастот...
Magnetic sensors are key elements in many security and military systems. Magnetic sensors are often used for military applications such as navigation, position tracking and antitheft systems. Nowadays sensitive magnetic sensors are used in many technical systems, including modern anti-tank missiles to identify the center of the target area and a minimal armor region.The applications of magnetoresistive structures based on semiconductor crystals of InSe for high precision measurement of the magnetic field are outlined in this article. Possibilities of using magnetic field sensors based on InSe structures for revealing the armour military vehicles are discussed. The impact of metal impurities on the layered structure of the semiconductor material as referred to the strong covalent bond within the layers as well as the weak van-der-Waals bond in the interlayer space is studied. Nyquist diagrams for InSe crystal with the impurities of nickel at different temperatures ranging from liquid nitrogen to room temperature are analyzed. Temperature is shown to be a significant factor for affecting the Nyquist diagrams. The curvature of the Nyquist diagrams for intercalated InSe varies with the temperature as opposed to the pure InSe. Topological images of crystal surface obtained by using atomic force microscopy confirmed the layer structure of nickel-intercalated InSe. Structures with alternating layers of semiconductor and metal provide the fundamental control of magnetic properties. These structures have a sharp anisotropy of magnetic susceptibility. The investigated semiconductor crystals with impurities of 3d-elements can extend the functionality of modern magnetic sensors designed to detect heavy armor.
Властивості і можливості практичного застосування нанопористих силікатних матриць, заповнених сумішшю сегнетоелектриків NaNO 2 і BaTiO 3 . Вплив коінкапсуляції 1 Національний університет «Львівська політехніка», вул. С. Бандери, 12, м. Львів, 79013, shvets_roman@ukr.net 2 ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника», вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76018 Представлено результати досліджень характеристик пористої кремнеземної матриці МСМ-41 з інкапсульованими в її пори нітритом натрію та сумішшю його з титанатом барію. Встановлено характер змін частотної дисперсії імпедансу, тангенса кута електричних втрат та діелектричної проникності синтезованих інкапсулатів при нагріванні, освітленні та в магнітному полі. Знайдено умови, при яких синтезовані наногібриди можуть виявитися цікавими з точки зору формування структур квантових акумуляторів електричної енергії та ємнісних головок для зчитування інформації з магнітних носіїв.Ключові слова: нанопориста матриця МСМ-41, система « господар-гість», сегнетоелектрики, імпеданс, діаграми Найквіста, діелектрична проникність, тангенс кута електричних втрат, термостимульована деполяризація. 22.09.2016; прийнята до друку 15.12.2016. Стаття поступила до редакції ВступОстаннім часом спостерігається бурхливий розвиток досліджень наногібридів, отриманих інкапсуляцією гостьових компонентів у молекулярно-граткові матриці. Властивості та структура речовини у гостьових позиціях нанопористих матриць та поза ними можуть значно відрізнятися. Суттєву роль в цьому відграє ступінь заповнення пористої матриці, взаємодії частинок зі стінками пор та міжчастинкова взаємодія. Водночас це суттєво позначається на характеристиках самих нанокомпозитів.На сьогоднішній день досить грунтовно вивчені особливості поведінки в мезопористих матрицях сегнетоелектриків поблизу фазових переходів [1-4], феромагнетиків [5][6][7][8], надпровідників та суперіоніків [9][10]. Перераховані наногібриди є перспективними і для застосування в системах випромінювання і лазерної генерації на основі колоїдних фотонних кристалів, сформованих з цих частинок. Хоч формування гетероструктурованих нанокомпозитних матеріалів вже більш як десятиліття приковує пильну увагу як спосіб отримання структур з широким спектром нових, невідомих досі властивостей [11,12], успіхи, досягнуті на шляху їх практичного застосування, ще не можна вважати вражаючими. Поки що накопичений лише незначний досвід і зроблені тільки перші кроки.Очевидно, що для подальшого прогресу в комплексному дослідженні таких наногібридів, спрямованому на розширення сфер їх практичного застосування, зокрема -для створення квантових акумуляторів, необхідно здобутий об'єм знань доповнити з'ясуванням закономірностей струмопро-ходження, зумовленого як носіями заряду, так і струмами зміщення, та поляризаційних процесів. На жаль, цьому аспекту проблеми найменше надавалася увага, а в багатьох випадках вона відсутня взагалі. Крім цього, викликає цікавість застосування в якості гостьового контенту сумішей речовин, з якими часто пов'язують можли...
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.