Young modulus and toughness (K IC ) of bulk solar grade silicon (SoG-Si) obtained by directional solidification of metallurgical grade silicon were determined. The Young modulus was measured by the technique of impulse excitation of vibration and K IC was determined using the indentation method. Measurement values agree well with those available in the literature. The indentation method proved to be a reliable, relatively simple, inexpensive, and fast experimental method to measure K IC in SoG-Si.
Resumo O efeito da convecção forçada foi estudado na micro e macroestrutura de lingotes de silício grau metalúrgico obtidos pela solidificação unidirecional a partir da extração de calor por uma base refrigerada em contato com o fundo do cadinho com o banho líquido. Um disco sob rotação foi imerso no silício líquido para promover a convecção forçada. Em lingotes de 100 mm, esta convecção aumenta de 8 para 80 mm o comprimento de uma região de grãos colunares claramente alinhados e livre de intermetálicos, indicando um aumento da macrossegregação. Um modelo de transferência de calor e massa indica que o aumento de transporte de soluto causado pela convecção forçada diminui o super-resfriamento constitucional e, consequentemente, aumenta a estabilidade da interface sólido-líquido plana, sem células ou dendritas. A ausência de células e dendritas pode ter contribuído para a maior macrossegregação de impurezas observada sob efeito de convecção forçada.
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