Une Btude comparative, dans un modble it une bande, de l'expression de la mobilite totale des porteurs, d6duite de la formule de Debye-Conwell et de la rbgle de Mathiessen, est proposke. Nous donnons la variation resultante de la mobilitk et du terme cinktique du pouvoir thermoBlectrique. Les rBsultats expirimentaux de conductivitB Blectrique de pouvoir thermoB1ectriqu.e obtenus sur MoTe, monocristallin sont expliquBs par un modhle classique de semiconducteur compensk. Nous montrons que l'application de la rbgle de Mathiessen, avec des exposants de mobilitk proches de leur valeur thborique, permet de lisser correctement I'ensemble des rBsultats expkrimentaux. Le modhle adopt6 est en bon accord avec la structure de bande des dichalcog6nures. Le niveau donneur, liB it la presence d'atomes de brome, est sit& it 9,5 meV de la bande de conduction.
Un appareil de mesure d'effet Hall par la méthode double alternative a été réalisé au laboratoire. Le montage utilise un oscillateur pilote commun aux sources produisant, d'une part le courant électrique et, d'autre part, le champ magnétique dans un électro-aimant placé à l'intérieur du cryostat On obtient une résolution élevée (de l'ordre de 10 nV) sur des échantillons fortement résistifs. Des mesures sur MoTe2 monocristallin montrent une bonne linéarité courant-champ et mettent en évidence le type p du semi-conducteur
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