Electron beam induced current (EBIC) microscopy is applied for studying the recombination activity of CI and p dislocations introduced by micro-indentation in n-type GaAs. Quantitative measurements of EBIC contrast profiles across several tens of single 60" dislocations reveal a distinct difference between the contrast values of the two dislocation types. The same difference observed in various crystals and at dislocations introduced at various temperatures provides evidence for the recombination activity associated with the core electron states of dislocations. From diffusion-length measurements in a dislocated region the reduced minority carrier lifetime at (x dislocations of the order of 1 0 -' 2 s is estimated.L'activite electronique des dislocations (x et introduites par micro-indentation dans GaAs de type n est etudiee en microscopie de courant induit par un faisceau d'electrons (EBIC). Des mesures de profil de contraste EBIC sur plusieurs dizaines de dislocations ii 60" montrent que les deux types de dislocations presentent des valeurs de contraste differentes. Le mime resultat observe dans divers cristaux et pour des dislocations introduites a differentes temperatures indiquent que I'activite electrique est associee aux etats electroniques de coeur des dislocations. A partir de mesures de longueur de diffusion dans une zone deformee de I'echantillon, la duree de vie des porteurs minoritaires autour des dislocations CI est estimee de l'ordre de lo-" s.

2014 La valeur élevée du travail de sortie du composé semi-métallique HgTe (q03A6m ~ 5.9 eV) a conduit à utiliser ce matériau pour réaliser des contacts ohmiques de faible résistance spécifique 03C1c (03A9 cm2) sur le composé semi-conducteur II-VI CdTe de type p, dans la gamme des résistivités 70 03A9 cm 03C1B 45 k03A9 cm. Les couches de HgTe ont été déposées par pulvérisation cathodique en atmosphère de mercure à des températures de l'ordre de 150 °C. Les contacts ont été réalisés en technologie planar et leur résistance spécifique déterminée à l'aide des modèles TLM (Transmission Line Model) et ETLM (Extended TLM). La méthodologie de la mesure est développée. Pour les résistivités élevées (03C1B = 1,45 k03A9 cm ; 13 k03A9 cm ; 16 k03A9 cm ; 45 k03A9 cm), le rapport 03C1c/03C1B est de l'ordre de 10-2 cm, et les caractéristiques J(V) sont sensiblement linéaires. Pour 03C1B = 70 03A9 cm, 03C1c/03C1B est de l'ordre de 10-1 cm, et les caractéristiques J(V) ne sont plus linéaires. L'ensemble de ces résultats n'est pas affecté par l'attaque préalable par pulvérisation du CdTe. La nature chimique et/ou les désordres structurels de la surface de CdTe expliquent les déviations observées par rapport à la théorie de l'effet thermoionique. Abstract. 2014 Because of the high value of its work function (q03A6m ~ 5.9 eV), the semimetallic compound HgTe has been used to realize ohmic contacts of low specific resistance 03C1c (03A9 cm2) on the II-VI semiconductor compound p-type CdTe, in the bulk resistivity range 70 03A9 cm 03C1B 45 k03A9 cm. The HgTe films were deposited by cathodic sputtering in a mercury vapour, at about 150 °C. Planar contacts were carried out and their specific resistance determined from the Transmission Line Model (TLM) and the Extended Transmission Line Model (ETLM). The methodology of the measurement is developed. For high values of the bulk

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