Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al-=SUB=-0.29-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.71-=/SUB=-As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц

Abstract

Quantum dots of indium gallium arsenide buried in a thin layer of aluminum gallium arsenide were grown by means of molecular-beam epitaxy. The influence of silver nanoparticles grown on the surface of the semiconductor structure by vacuum thermal evaporation on photoluminescence of quantum dots was investigated. Photoluminescence spectra of quantum dots were obtained under stationary and pulsed excitation. The influence of silver nanoparticles exhibiting plasmon resonances on spectral distribution and kinetics of luminescence of the epitaxial quantum dots was studied.

Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al-=SUB=-0.6-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.4-=/SUB=-As-=SUB=-0.97-=/SUB=-Sb-=SUB=-0.03-=/SUB=-

“…Такая интеграция, однако, мало осуществима для типичных плазмонных материалов -золота и серебра -из-за плохой совместимости технологий получения соответствующих наночастиц и технологии эпитаксиального выращивания полупроводников. Плазмонные наночастицы этих материалов не удается получить в объеме полупроводникового материала, хотя они могут быть сформированы на поверхности выращенных полупроводниковых структур с использованием дополнительного технологического процесса [3,4].…”