Электронное строение монослойных сверхрешеток (GeC)-=SUB=-1-=/SUB=-(SiC)-=SUB=-1-=/SUB=-, (SnC)-=SUB=-1-=/SUB=-(SiC)-=SUB=-1-=/SUB=- и (SnC)-=SUB=-1-=/SUB=-(GeC)-=SUB=-1-=/SUB=-

Abstract

В рамках теории функционала плотности проведено моделирование кристаллической структуры и электронного строения кристаллов GeC, SiC, SnC и сверхрешеток на их основе: GeC/SiC, SnC/SiC, SnC/GeC. Получены равновесные постоянные кристаллических решеток, вычислены зонные спектры, плотности состояний и изучены особенности формирования валентной зоны и химической связи в рассматриваемых кристаллах и сверхрешетках. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44422.8357

Диэлектрические и оптические свойства кубических монокристаллов SiC, GeC и SnC: модельные оценки

“…Отметим, что не только кристаллы 3C−SiC представляют прикладной интерес. Так, на базе этих материалов создаются сверхрешетки, например, GeC/SiC, SnC/SiC, SnC/GeC [21] и GeC/GaN [22].…”

Оценки Диэлектрических И Оптических Характеристик Бинарных 3d- И 2d-Соединений IV Группы

“…Это обстоятельство, наряду с диэлектрическими и оптическими свойствами 2D-соединений, представляет несомненный интерес для оптоэлектроники (см., например, обзоры [37][38][39]). Отметим также применение 2D-GeC в литиевых батареях [40,41] и 3D-карбидов для создания сверхрешеток GeC/SiC, SnC/SiC, SnC/GeC [42] и GeC/GaN [43].…”