2018
DOI: 10.21883/pjtf.2018.12.46298.17295
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Электронно-Стимулированная Десорбция Атомов Цезия С Графена На Иридии

Abstract: Впервые прямым методом обнаружена электронно-стимулированная десорбция (ЭСД) атомов Cs с поверхности графена на металле (иридии). Измерения выполнены времяпролетным методом с помощью детектора на основе поверхностной ионизации. Порог появления выхода ЭСД атомов Cs при температуре поверхности 160 K равен 20 eV, также наблюдается дополнительный пик выхода ЭСД атомов Cs при энергии облучающих электронов 56 eV. Наблюдаемая ЭСД атомов Cs с графена связывается с неметаллической природой пленки графена на поверхности… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
1

Citation Types

0
0
0
8

Year Published

2019
2019
2019
2019

Publication Types

Select...
2

Relationship

1
1

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(8 citation statements)
references
References 18 publications
0
0
0
8
Order By: Relevance
“…Наибольшее распространение получил триоксид вольфрама 3 WO . Плёнки окислов вольфрама получают различными способами: реактивным ионно-плазменным (магнетронным) распылением, термическим испарением порошка 3 …”
Section: Isbn 978-5-7609-1275-6unclassified
See 4 more Smart Citations
“…Наибольшее распространение получил триоксид вольфрама 3 WO . Плёнки окислов вольфрама получают различными способами: реактивным ионно-плазменным (магнетронным) распылением, термическим испарением порошка 3 …”
Section: Isbn 978-5-7609-1275-6unclassified
“…Кристаллическая структура 3 WO зависит от температуры: при низких (менее  27 C) температурах  моноклинная, при комнатных температурах  триклинная, а при высоких (более 740 C)  тетрагональная. 3 …”
Section: Wounclassified
See 3 more Smart Citations