Электрические Свойства Тонких Пленок Оксида Индия, Полученных Методом Плазменно-Термического Испарения

Abstract

Исследованы структура и электрические свойства прозрачных тонких пленок оксида индия, полученных методом плазменно-термического испарения при различных температурах подложки. Определено, что пленки имеют зернистую структуру. Увеличение температуры подложки приводит к значительному росту проводимости пленок и к уменьшению времени релаксации фотопроводимости. Предложено объяснение влияния температуры подожки на наблюдаемые изменения электрических и фотоэлектрических свойств исследованных пленок оксида индия.