2017
DOI: 10.7868/s0207352817100031
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

ЭВОЛЮЦИЯ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ РОСТЕ ПЛЕНОК АМОРФНОГО И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, "Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные И Нейтронные Исследования"

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2021
2021
2021
2021

Publication Types

Select...
1

Relationship

0
1

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(1 citation statement)
references
References 0 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Но в литературе имеется мало сведений об особенностях тензостимулированного эффекта изменения удельного сопротивления при наличии глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне и термодефектов в объеме полупроводника. Как известно [8,9] после термического отжига при высоких температурах и резкого охлаждения в объеме полупроводникового кристалла образуются электроактивные и нейтральные термические дефекты. Исследованиями ряда авторов [10][11][12] установлено, что термоотжиг различной длительности (1−200 h) в широком интервале температур (300−1200 • С) кислородосодержащих монокристаллов кремния, выращенных методом Чохральского, приводит к образованию различных термодоноров (TD) кислородной природы в объеме кристалла Cz-Si.…”
Section: Introductionunclassified
“…Но в литературе имеется мало сведений об особенностях тензостимулированного эффекта изменения удельного сопротивления при наличии глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне и термодефектов в объеме полупроводника. Как известно [8,9] после термического отжига при высоких температурах и резкого охлаждения в объеме полупроводникового кристалла образуются электроактивные и нейтральные термические дефекты. Исследованиями ряда авторов [10][11][12] установлено, что термоотжиг различной длительности (1−200 h) в широком интервале температур (300−1200 • С) кислородосодержащих монокристаллов кремния, выращенных методом Чохральского, приводит к образованию различных термодоноров (TD) кислородной природы в объеме кристалла Cz-Si.…”
Section: Introductionunclassified