2017
DOI: 10.21883/ftp.2017.05.44428.8427
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (lambda=809 нм) на основе GаAs

Abstract: На основе однопереходных гетероструктур AlGaAs/GaAs, полученных методом эпитаксии из жидкой фазы, созданы преобразователи лазерного излучения с длиной волны lambda=809 нм. Разработаны и протестированы фотоэлектрические модули с рабочим напряжением 4 В для преобразования излучения различной плотности. Исследованы два подхода --- без использования оптических концентрирующих систем и с применением линз Френеля. В фотоэлектрическом приемнике на основе 64 преобразователей лазерного излучения площадью 0.04 см2 и кон… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
4

Year Published

2018
2018
2023
2023

Publication Types

Select...
4

Relationship

2
2

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(4 citation statements)
references
References 8 publications
(9 reference statements)
0
0
0
4
Order By: Relevance
“…Вопросы создания модулей для преобразования мощного, дополнительно сконцентрированного, лазерного (809 и 1064 nm) излучения рассматривались нами ранее в [16,17]. В настоящей работе представлен высокоэффективный фотоэлектрический модуль, оптимизированный для работы с источниками ЛИ (например, [18]) с длиной волны 809−850 nm.…”
Section: Introductionunclassified
“…Вопросы создания модулей для преобразования мощного, дополнительно сконцентрированного, лазерного (809 и 1064 nm) излучения рассматривались нами ранее в [16,17]. В настоящей работе представлен высокоэффективный фотоэлектрический модуль, оптимизированный для работы с источниками ЛИ (например, [18]) с длиной волны 809−850 nm.…”
Section: Introductionunclassified
“…Благодаря возможности согласования ширины запрещенной зоны материала ФПЛИ с длиной волны лазерного излучения существенно снижаются тепловые потери, а КПД современных ФПЛИ находятся на уровне 60% и более [1][2][3]. В последние два десятилетия большинство исследований было посвящено ФПЛИ на основе GaAs с длинноволновым краем поглощения 870 nm [1][2][3][4][5][6]. Также для целей беспроводной передачи энергии на большие расстояния перспективным спектральным диапазоном являются длины волн порядка 1 µm ввиду как лучшего пропускания атмосферы, так и коммерческой доступности высокомощных лазеров на основе иттрий-алюминиевого граната с длиной волны основной гармоники 1064 nm [7].…”
unclassified
“…Мощные фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) концентрированного солнечного излучения [1] и мощного лазерного излучения [2] все больше применяются в солнечной энергетике и системах беспроводной передачи энергии по лазерному лучу. В последние годы ведутся активные разработки высокоэффективных ФЭП мощного лазерного излучения [3][4][5][6], работающих в фотовольтаическом режиме без приложения внешнего смещения.…”
unclassified