Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (lambda=1064 нм) на основе GaInAsP/InP

Abstract

На основе решеточно-согласованных гетероструктур GaInAsP/InP, полученных газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения с засветкой со стороны подложки. Рассмотрены варианты просветляющих покрытий с минимумом отражения при длинe волны λ = 1064 нм, а также особенности монтажа чипов с использованием паяльных паст с различающимися температурами плавления. В условиях равномерного облучения для мощности 1.2 Вт на фотопреобразователях площадью 3.5 × 3.5 мм 2 получен кпд 34.5% (λ = 1064 нм).

Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

“…Ключевые слова: МОС-гидридная газофазная эпитаксия, гетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи, легирование, однородность. DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50039.18419 В рамках безалюминиевых технологий материалами активных слоев фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) для лазерного излучения с длиной волны 1064 nm могут быть твердые растворы Ga 1−x In x As y P 1−y , изопериодические с InP [1]. Активные слои должны иметь постоянный состав и высокую степень кристаллического совершенства на протяжении всей толщины (более 1 µm).…”

“…Активные слои должны иметь постоянный состав и высокую степень кристаллического совершенства на протяжении всей толщины (более 1 µm). Исследование однородности слоев таких материалов главным образом связано с изучением распределения легирующих примесей по толщине структуры [1,2]. В настоящей работе также изучалось распределение содержания матричных элементов Ga, In, As и P по толщине слоев Ga 1−x In x As y P 1−y .…”