Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям

Abstract

Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям методом спектроскопии фототока в диапазоне длин волн 350-500 нм. В результате анализа серии спектров, полученных при различных смещениях p-n-перехода, обнаружен эффект смены направления фототока при изменении длины волны возбуждения (фотореверсивный эффект). Установлен диапазон смещений p-n-перехода, при котором наблюдается указанный эффект для структур с разным количеством квантовых ям в активной области. Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, фототок, квантовая яма, нитрид галлия.