Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

Abstract

Созданы и исследованы неохлаждаемые GaSb/GaAlAsSb-фотодиоды для спектрального диапазона 1.1−1.85 мкм. Уникальный метод выращивания GaSb из свинцовых растворов-расплавов позволил достичь низкой концентрации носителей в активной области n = 2 • 10 15 см −3. Емкость фотодиодов составляла 70−110 пФ при диаметре чувствительной площадки 300 мкм и 150−250 пФ при диаметре 500 мкм соответственно. Для приборов на основе GaSb разработанные фотодиоды характеризуются высокой спектральной чувствительностью S λ = 0.95 А/Вт в максимуме, относительно малой величиной плотности обратного темнового тока j = (4−9) • 10 −3 А/см 2 при Urev = 1.0−2.0 В, высоким быстродействием (время отклика 5−10 нс).