2020
DOI: 10.21883/ftt.2020.09.49777.16h
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Управление магнитной структурой CoNi-микрочастиц при помощи механических напряжений

Abstract: In work, the change of domain structure of CoNi microparticles caused by mechanical stress was studied. For this purpose, an array of identical square-shaped planar CoNi particles was formed on the surface of a polished glass substrate. Elastic bending of the substrate was used for creating of mechanical stress in the particles. It was shown by magnetic force microscopy, the magnetic structure of particles is possible to change from multidomain to quasi-homogeneous state by mechanical stress.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
1
1

Citation Types

0
0
0
4

Year Published

2021
2021
2023
2023

Publication Types

Select...
3

Relationship

2
1

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(5 citation statements)
references
References 4 publications
(9 reference statements)
0
0
0
4
Order By: Relevance
“…2, c). Между этими доменами формируется доменная стенка, длина (L) которой пропорциональна размерам увеличившихся доменов, и которая может быть использована для характеризации действующего на частицу механического напряжения [8]. С увеличением температуры образца увеличивается длина этой доменной стенки (рис.…”
Section: экспериментальные результаты и их обсуждениеunclassified
See 1 more Smart Citation
“…2, c). Между этими доменами формируется доменная стенка, длина (L) которой пропорциональна размерам увеличившихся доменов, и которая может быть использована для характеризации действующего на частицу механического напряжения [8]. С увеличением температуры образца увеличивается длина этой доменной стенки (рис.…”
Section: экспериментальные результаты и их обсуждениеunclassified
“…Одним из наиболее перспективных методов создания одноосных механических напряжений в планарных частицах является использование подложек из пьезоэлектрических материалов, линейные размеры которых могут контролируемо изменяться под действием электрического поля [4][5][6][7]. Однако при проведении поисковых исследований часто используются и другие методы, например, механическое воздействие на подложку со сформированными на ней магнитными структурами [8]. Также механические напряжения могут создаваться за счет изменения температуры образца [9,10].…”
Section: Introductionunclassified
“…Для проведения исследований были выбраны микрочастицы CoNi квадратной формы размерами 7.5 × 7.5 × 0.03 µm 3 . Ранее на подобных микрочастицах, сформированных на поверхности стеклянной подложки, были проведены исследования зависимости распределения локальной намагниченности от величины одноосного механического напряжения [5], что давало возможность проводить сравнение полученных результатов между собой. Изучение распределения намагниченности в микрочастицах и их топографии проводилось с помощью сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) Solver P47 (NT MDT) в режимах атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии (АСМ и МСМ соответственно).…”
Section: создание образцов и методика проведения исследованийunclassified
“…В качестве носителя может выступать паттернированная среда, состоящая из частиц. Кроме этого, для управления намагниченностью этих частиц можно использовать маг-нитоупругий эффект [5,6]. Создавая в частице одноосные механические напряжения, можно не только снизить ее коэрцитивную силу, но и изменять направление намагниченности без приложения внешнего поля, что позволяет существенно улучшить энергоэффективность таких устройств [7].…”
Section: Introductionunclassified
“…Наиболее перспективным для этого считается использование сегнетоэлектрических подложек, которые могут обеспечить минимальное энергопотребление [5][6][7], однако при проведении поисковых исследований часто используются и другие варианты. Наиболее легко реализуемым является вариант с механическим изгибом подложки, на которой расположены частицы [8][9][10]. Также возможно применение термоиндуцированного магнитоупругого эффекта, когда механические напряжения наводятся изменением температуры образца вследствие разности в термических коэффициентах расширения подложки по разным кристаллографическим осям [11,12] или за счет изменения размеров ее кристаллической решетки при фазовом переходе [13].…”
Section: Introductionunclassified