Туннелирование В Графен/H-Bn /Графен Гетероструктурах Через Нульмерные Уровни Дефектов H-Bn И Их Использование В Качестве Зонда Для Измерения Плотности Состояний Графена

Проявления процессов резонансного туннелирования и случайных флуктуаций потенциала с участием уровней квантовых точек в релаксации фототока p-i-n GaAs/AlAs-гетероструктур

“…Верхний p + -слой GaAs толщиной 0.5 мкм был легирован до концентрации 2 • 10 18 см −3 . Более детально такие структуры описаны в работах [5][6][7].…”

“…рис. 1, b) [5][6][7]. Их проявление на релаксационных зависимостях при импульсном освещении объяснено в [5] следующим образом.…”

“…Появление этой резонансной особенности может быть объяснено в рамках вышеописанной модели релаксационной зависимости фототока следующим образом. Несмотря на неизменность величины фототока и V equi на участке динамического равновесия релаксационой кривой, в этот период времени происходит, как уже было показано нами ранее [7,8], относительно медленное накопление положительного заряда дырок, генерируемых в i-слое слева от барьера и движущихся к нему под действием электрического поля, на дырочных уровнях КТ в барьере E h QD , приводящее к перераспределению (перелому) линейного падения напряжения V equi между левым (где падение напряжения уменьшается) и правым (где оно растeт) i-слоями возле барьера с КТ и смещению/движению электронных уровней КТ, E e QD , вниз по энергии относительно дна зоны проводимости E C в p-слое, которые в режиме " плоских зон" находятся на ∼ 115 мВ выше E C . При совпадении электронных уровней E e QD с E C происходит резкое резонансное усиление туннелирования через барьер фотовозбужденных электронов, дрейфующих из p-слоя с энергией ∼ E C , при участии E e QD .…”

Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs

“…Верхний p + -слой GaAs толщиной 0.5 µm легирован до концентрации 2 • 10 18 cm −3 . Более детально такие структуры описаны в работах [9,10]. Для создания оптических мезаструктур диаметром 25−200 µm применялась стандартная технология химического травления.…”

“…рис. 1) были обнаружены гигантские oсцилляции фототока [9,10] при облучении светом с энергией фотона большей, чем ширина запрещенной зоны в GaAs, которые проявлялись как множественные резонансоподобные особенности на вольт-амперных характеристиках (ВАХ). Амплитуда таких осцилляций при этом составляла порядка 20% от средней величины фототока при облучении светом с длиной волны λ = 650 nm, хотя в p−i−n-диодах с одиночным туннельным барьером априори невозможно предположить наличие каких либо резонансов фототока.…”