ТРАНСПОРТНЫЕ, МАГНИТНЫЕ И МЕМРИСТИВНЫЕ СВОЙСТВА НАНОГРАНУЛИРОВАННОГО КОМПОЗИТА (CoFeB)(LiNbO)^, "Журнал экспериментальной и теоретической физики"

Мемристоры на основе поли-n-ксилилена с внедренными наночастицами серебра

“…Одним из подходов для повышения стабильности РП является внедрение металлических наночастиц (НЧ) в слой диэлектрика в структуре металл/диэлектрик/металл [15,16]. Металлические НЧ выступают в качестве концентраторов электрического поля и, как следствие, стабилизируют и облегчают процесс РП (отсутствует необходимость электроформовки).…”

“…Металлические НЧ выступают в качестве концентраторов электрического поля и, как следствие, стабилизируют и облегчают процесс РП (отсутствует необходимость электроформовки). Наиболее распространенными способами внедрения металлических НЧ являются имплантация ионов с последующим отжигом [9] или использование композитных мишеней при распылении, при котором в процессе осаждения формируется наногранулированная металлдиэлектрическая пленка [16,17] Ag/PPX/ITO: Ag/PPX-Ag/ITO: (рис. 3, b), что сравнимо с результатами, полученными на структурах Ag/PPX/ITO [11].…”

Свойства мемристивных структур на основе нанокомпозита (Co-=SUB=-40-=/SUB=-Fe-=SUB=-40-=/SUB=-B-=SUB=-20-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-(LiNbO-=SUB=-3-=/SUB=-)-=SUB=-100-x-=/SUB=-, синтезированных на SiO-=SUB=-2-=/SUB=-/Si-подложках

“…5) для структур с содержанием ферромагнитного сплава x ≈ 13 at.%. При этом заметно уменьшение отношения R o f f /R on в процессе переключений, чего практически не наблюдалось для структур, выращенных на ситалле [13,14].…”

“…Как показывают данные РФЭС, атомы бора образуют оксиды и различные соединения (LiBO 2 , FeBO 3 ), существенно связывая кислород, что может приводить к формированию нестехиометрической матрицы LiNbO 3−y из-за образования дефектов типа кислородных вакансий. В перколяционных системах электронный транспорт определяется цепочками из металлических гранул, образующих бесконечный связный кластер [13,22]. Смещение вакансий к цепочкам и конденсация атомов металла на гранулах при протекании тока могут существенно изменять туннельную проводимость между гранулами как за счет изменения локальных барьеров на границе гранула/оксидная матрица, так и за счет толщины эффективного зазора между гранулами и/или между гранулами и нижним электродом.…”

Прецизионный Алгоритм Переключения Мемристора В Состояние С Заданным Сопротивлением

“…Участки 1 и 4 ВАХ соответствуют высокоомному состоянию мемристора, 2 и 3 -низко-омному; отношение сопротивлений в этих состояниях R o f f /R on ≈ 150. Такой вид зависимости ВАХ можно объяснить в рамках модели, предложенной в работе [13]. Согласно этой модели, РП структуры обусловлено несколькими факторами: 1) перколяционным характером проводимости НК и формированием при относительно небольших со-держаниях металла изолированных цепочек из вытянутых гранул, кото-рыми определяется поперечная проводимость структуры; 2) аномально сильным уменьшением сопротивления цепочек в полях E > 10 4 V/cm вследствие подавления эффектов кулоновской блокады [14] …”