Тонкопленочные барорезисторы на основе твердых растворов Sm-=SUB=-1-x-=/SUB=-Gd-=SUB=-x-=/SUB=-S

Abstract

Исследовано влияние концентрации Gd на температурный и барический коэффициенты электросопротивления тонких поликристаллических пленок твердых растворов системы Sm1-xGdxS, где x=0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.33 и 0.5. Пленки изготовлены методом взрывного испарения в вакууме порошков исходных соединений и седиментацией последних из газовой фазы на стеклянные подложки. Получены зависимости температурного alpha и барического beta коэффициентов электросопротивления, а также их отношения γ от концентрации x Gd в системе твердых растворов SmS-GdS, на основании которых определены оптимальные составы для изготовления тонкопленочных тензо- и барорезисторов. Ключевые слова: тензо- и барорезистор, содержание Sm и Gd, моносульфид самария, коэффициент электросопротивления.