Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора-расплава в Sn

Abstract

The structure, composition, and thermoelectric properties of cobalt monosilicide obtained by crystallization from a supersaturated solution–melt in tin are studied. A technique for the synthesis and directional solidification of microcrystalline and bulk textured materials in a single technological cycle is developed.

Влияние осаждения атомов Ba и имплантации ионов Ba-=SUP=-+-=/SUP=- на электронную структуру монокристаллического Ge

“…В частности, нанофазы и нанослои силицидов и германидов металлов имеют перспективы в создании СВЧ-транзисторов и интегральных схем, а гетероструктуры Ge x Si 1−x /Siв создании светодиодов, фотодетекторов, лазерных источников, оптических и электронных приборов [5][6][7][8][9][10][11][12]. В связи с этим в последние годы хорошо изучены состав, электронная и кристаллическая структуры, эмиссионные и оптические свойства наноразмерных гетероструктур и слоев, созданных методами молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазной и газофазной эпитаксий на поверхности Si и Ge [13][14][15][16]. В последние годы метод ионной имплантации широко используется для контролируемого изменения физических свойств полупроводников.…”