Совместные Продолжения Липшицевых Функций

Особенности механизма электропроводности в γ-облученных монокристаллах TlInSe-=SUB=-2-=/SUB=- под гидростатическим давлением

“…Учитывая работы [11,[17][18][19], можно предполагать, что изменение концентрации носителей заряда в зонах обусловлено изменением скорости перестройки радиационных дефектов под действием давления. Из этого следует, что при облучении кристаллов причиной аномального изменения концентрации носителей заряда является перестройка дефектов.…”

Об Особенностях Примесного Энергетического Спектра Арсенидов

“…При P > (2 − 3) ГПа |R H | и ρ возрастают с увеличением давления по экспоненциальному закону вплоть до P ≈ 6.5 ГПа (начало полиморфного перехода). Подобный характер зависимости R H (P) в диапазоне давлений P = 2.5−6 ГПа обусловлен, очевидно, наличием глубокого резонансного донорного примесного центра -вакансии мышьяка [3,17]. Отметим, что в InAs экстремумы L-долины и X-долины зоны проводимости расположены на энергетической шкале выше экстремума Ŵ-долины зоны проводимости на расстоянии соответственно ∼ 1 и ∼ 1.5 эВ [18].…”

“…Известно, что в арсенидах InAs, GaAs, CdSnAs 2 , CdGeAs 2 электронный тип проводимости обусловлен нестехиометрией состава -вакансиями в анионной подрешетке, поскольку мышьяк является легко летучим компонентом. Этот вывод был подтвержден исследованиями природы дефектов в кристаллах арсенидов, облученных электронами, которым соответствовали уровни энергии глубоких донорных центров [1][2][3].…”

Первопринципное исследование полупроводника ZnSnSb-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Возобновление интереса к кристаллам ZnSnSb 2 связано с поиском перспективных термоэлектрических материалов и матриц со структурой халькопирита, на основе которых могут быть получены, в частности, магнитные материалы [14][15][16][17][18][19].…”