Синтез и электрофизические свойства термоэлектрического материала на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-, легированного лантаноидами Er, Tm, Yb и Lu

Abstract

Нанопорошки Bi2Te3 и R0.1Bi1.9Te3 (где R=Er, Tm, Yb, Lu) были получены методом сольвотермально-микроволного синтеза. Порошкообразные материалы компактировали методом холодного изостатического прессования с последующим отжигом в инертной среде аргона. Изучено влияние легирующей добавки редкоземельных элементов на структуру и свойства получаемых материалов. Показано, что введение в решетку теллурида висмута атома редкоземельного элемента (2 ат%) приводит к снижению удельного электрического сопротивления и к росту значений коэффициента Зеебека. Установлено, что в исследованном ряду редкоземельных элементов наилучшие свойства проявляет образец теллурида висмута, легированный тулием. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44548.07

Геттерирование Эпитаксиального Арсенида Индия Редкоземельным Элементом Гольмием

“…Известным методом очистки полупроводников A III B V является геттерирование в процессе синтеза с помощью редкоземельных элементов [9,10]. В последние годы данный метод успешно применяется и в технологии других соединений, в частности низкотемпературных термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута [11].…”