Роль Модельных Представлений В Описании Кинетики Люминесценции Гибридных Нитевидных Нанокристаллов

Abstract

On the example of InP/InAsP/InP nanowires, the role of theoretical models in the photodynamics study of hybrid semiconductor structures is considered. The photodynamics of luminescence of an array of InP/InAsP/InP nanowires formed by molecular beam epitaxy on a Si (III) substrate was studied. Based on a comparison of several kinetic models, including the use of poly-exponential and stretched-exponential functions, the analysis of experimental data is carried out. Experiments were performed by excitation with laser radiation of 633 nm at room temperature. It has been shown that the luminescence decay kinetics of the InAsP nanoinsert is best described in terms of the contact quenching model. The total decay time of the excited state (radiation lifetime) of the InAsP insert was estimated at τ ~ 40 ns. The reasons for the unusually long duration of transfer of excitation from InP have been suggested.

Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ

“…Однако получить подробное описание физики процессов релаксации только лишь с ее помощью невозможно, поэтому более эффективно использовать сочетание нескольких функций, в том числе, например, специализированную функцию Кольрауша (дробно-экспоненциальную). В работе [23] для учета потерь излучения на ловушках, связанных со структурными дефектами кристаллической решетки, кинетика затухания люминесценции НВ была дополнительно описана в представлениях модели " контактного тушения". Расчет показал, что такая модель кинетики количественно соответствует экспериментальным зависимостям, а длительность радиационного распада -результатам, полученным при биэкспоненциальном разложении.…”

“…В этом случае важное значение приобретает адекватное математическое описание экспериментальных зависимостей кинетики затухания фотолюминесценции (ФЛ) [14,[17][18][19][20][21][22]. На примере гибридной полупроводниковой наноструктуры, представляющей собой массив нитевидных нанокристаллов (ННК) InP с нановставкой (НВ) InAsP, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(III), показано, что наилучшая аппроксимация спектрокинетических зависимостей достигается при сопоставлении результатов полиэкспоненциального разложения и параметров, извлекаемых при обработке кинетических кривых дробно-экспоненциальной (Кольрауша) функцией [23]. Это позволило подтвердить существование в исследованной системе безызлучательного переноса энергии по диполь-дипольному механизму (FRET) и описать затухание люминесценции НВ InAsP по механизму контактного тушения.…”

Кинетика Сенсибилизированной Люминесценции Как Инструмент Для Идентификации Безызлучательного Переноса Энергии

“…Безызлучательный перенос энергии (Förster Resonance Energy Transfer, FRET) продолжает оставаться эффективным инструментом для исследования фотопроцессов в различных средах. В последние годы FRET используется в качестве инструмента для исследования нанокристаллов, квантовых точек (QD) и гибридных структур на их основе [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16].…”