2015
DOI: 10.7868/s0002337x15080060
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Рентгенофлуоресцентный анализ стекол системы Ge–As–Se с возбуждением флуоресценции рентгеновским излучением и электронным пучком

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2017
2017
2023
2023

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(2 citation statements)
references
References 0 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Выделяют два источника ГЭП на ядрах атомов-зондов: ионы кристаллической решетки (кристаллический ГЭП) и несферические валентные электроны (валентный ГЭП) атома-зонда. Теоретические расчеты тензора ГЭП были проведены методом плоских волн в приближении локальной плотности (рассчитывается суммарный ГЭП), однако эти расчеты не привели к убедительным результатам [1], а также в рамках модели точечных зарядов (рассчитывается тензор кристаллического ГЭП), причем для таких расчетов необходимы только рентгеноструктурные данные и не требуется введения априорных допущений об электронной структуре материала [2].…”
unclassified
See 1 more Smart Citation
“…Выделяют два источника ГЭП на ядрах атомов-зондов: ионы кристаллической решетки (кристаллический ГЭП) и несферические валентные электроны (валентный ГЭП) атома-зонда. Теоретические расчеты тензора ГЭП были проведены методом плоских волн в приближении локальной плотности (рассчитывается суммарный ГЭП), однако эти расчеты не привели к убедительным результатам [1], а также в рамках модели точечных зарядов (рассчитывается тензор кристаллического ГЭП), причем для таких расчетов необходимы только рентгеноструктурные данные и не требуется введения априорных допущений об электронной структуре материала [2].…”
unclassified
“…Для надежной интерпретации экспериментальных данных в терминах тензора кристаллического ГЭП необходимо выполнение следующих условий: используемый зонд a priori должен находиться в определенном узле кристаллической решетки; введение зонда в решетку не должно приводить к образованию заряженных центров, компенсирующих избыточный заряд зонда; зонд должен иметь заполненную (или полузаполненную) валентную оболочку, чтобы для ядер зонда отсутствовал валентный ГЭП. Для случая YBa 2 Cu 3 O 7 такими зондами являются Ba 2+ (ЯКР/ЯМР на изотопе 137 Ba) [3], O 2− (ЯМР/ЯКР на изотопе 17 O) [4] и Zn 2+ (ЭМС на изотопах 67 Cu( 67 Zn), когда зонд 67 Zn 2+ после радиоактивного распада 67 Cu стабилизируется в узлах меди, и на изотопах 67 Ga( 67 Zn), когда зонд 67 Zn 2+ после радиоактивного распада 67 Ga стабилизируется в узлах иттрия) [2]. В настоящей работе впервые реализован метод определения абсолютных величин эффективных зарядов атомов в решетке YBa 2 Cu 3 O 7 с использованием величин квадрупольного момента и коэффициента Штернхеймера для зонда 67 Zn 2+ , что позволило отказаться от определения эффективных зарядов атомов в относительных единицах.…”
unclassified