Расчет Диффузионной Емкости Туннельного Диода В Сверхвысокочастотном Поле На Основе Различных Моделей

Abstract

В работе рассмотрен анализ зависимости диффузионной емкости от напряжениятуннельного диода на основе германия Ge по модели Тсу-Эсаки и по теории Нотта и деМасса. Теоретически показано, что резкое повышение температуры электронного газасильно влияет на вольтамперную характеристику туннельного диода, вызываяуменьшение области с отрицательным дифференциальным сопротивлением в вольтамперной характеристике и является причиной увеличения диффузионной ёмкости. Кроме того, наблюдалось, что увеличение диффузионной ёмкости приводит к снижениюфактора качества туннельного диода.