2020
DOI: 10.31857/s1234567820080078
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Различия В Равновесной И Критической Степени Покрытия При Фазовом Переходе В Слое Углерода На Металле При Образовании Графена

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Publication Types

Select...
1

Relationship

1
0

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(1 citation statement)
references
References 0 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Таким образом, эксперименты по ЭСД атомов Cs с графена указывают, что в данных опытах графен на металле ведет себя как диэлектрик. Это согласуется с более ранними наблюдениями того, что в отношении пропускания света графен в интервале толщин 1−10 монослоев тоже ведет себя как диэлектрик, что, видимо, связано с перетеканием заряда между ним и поверхностью металла [34].…”
Section: обсуждение результатовunclassified
“…Таким образом, эксперименты по ЭСД атомов Cs с графена указывают, что в данных опытах графен на металле ведет себя как диэлектрик. Это согласуется с более ранними наблюдениями того, что в отношении пропускания света графен в интервале толщин 1−10 монослоев тоже ведет себя как диэлектрик, что, видимо, связано с перетеканием заряда между ним и поверхностью металла [34].…”
Section: обсуждение результатовunclassified