Проводимость гетеропереходов Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=--GaAs

Abstract

Исследовано влияние отжига в аргоне при температурах Tan = 700−900• C на вольт-амперные характе-ристики структур металл−Ga 2 O 3 −GaAs. Образцы получали термическим напылением порошка Ga 2 O 3 на пластины GaAs с концентрацией доноров Nd = 2 · 10 16 см −3 . Для измерений вольт-амперных характеристик напыляли металлические V/Ni электроды: верхний электрод на пленку Ga 2 O 3 через маски с площадью Sk = 1.04 · 10 −2 см 2 (затвор) и нижний электрод к GaAs в виде сплошной металлической пленки. После отжига в аргоне при Tan ≥ 700• C структуры Ga 2 O 3 −n-GaAs приобретают свойства изотипных гетероперехо-дов n-типа. Показано, что проводимость структур при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga 2 O 3 . При отрицательных смещениях рост тока с повышением напряжения и температуры обусловлен термополевой эмиссией в арсениде галлия. В области сильных электрических полей преобладает туннелирование электронов через вершину потенциального барьера, облегченное фононами. Отжиг при высокой температуре не изменяет концентрацию электронов в оксидной пленке, но влияет на энергетическую плотность поверхностных состояний на границе GaAs−Ga 2 O 3 .