2013
DOI: 10.7868/s0002337x13100035
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Применение BiFeO3и Bi4Ti3O12в сегнетоэлектрической памяти, фазовращателях фазированной антенной решетки и СВЧ-транзисторах HEMT

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2021
2021
2022
2022

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(1 citation statement)
references
References 0 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…д.). Согласно [3,14,15], замещение Bi на La уменьшает усталость Bi 4 Ti 3 O 12 , а также снижает поляризацию. Считается, что такие материалы по ряду функциональных характеристик смогут превосходить такой известный сегнетоэлектрик как цирконат свинца [3].…”
Section: Introductionunclassified
“…д.). Согласно [3,14,15], замещение Bi на La уменьшает усталость Bi 4 Ti 3 O 12 , а также снижает поляризацию. Считается, что такие материалы по ряду функциональных характеристик смогут превосходить такой известный сегнетоэлектрик как цирконат свинца [3].…”
Section: Introductionunclassified