Полупроводниковые Гетероструктуры Первого Рода С Непрямой Запрещенной Зоной На Подложках С Ориентацией (110)

Abstract

Type-I indirect-gap heterostructures are convenient objects for studying the spin dynamics of localized excitons, which are difficult to investigate in heterostructures of other types. It is shown that structures with such an energy spectrum can be formed from III–V binary compounds on substrates with the (110) orientation. The effect of the strain distribution and conduction-band structure in quasimomentum space on the energy spectrum of electronic states in the heterostructures is discussed.

XXVII Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2023 г. Формирование заряженных вакансий в анионной подрешетке AlAs

“…Перемешивание материалов широко используется для модификации параметров структур, позволяя изменять ширину запрещенной зоны [4,5], управлять сверхтонким взаимодействием [6] и уменьшать градиенты деформации [7]. В непрямозонных гетероструктурах с КЯ и КТ, сформированных на основе широкозонного полупроводника AlAs [8,9], диффузионное размытие гетерограницы позволяет управляемо изменять время жизни излучательной рекомбинации экситонов на несколько порядков величины [10].…”