Особенности Сегнетоэлектрического Состояния В Поликристаллических Тонких Пленках BA0.5SR0.5NB2O6 На Подложке (001) Si

Abstract

Представлены результаты исследования диэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария-стронция Ba0.5Sr0.5Nb2O6, осажденных на монокристаллические подложки кремния различного типа проводимости без каких-либо буферных слоев. Пленки были получены методов высокочастотного катодного распыления в атмосфере кислорода. Обсуждаются причины выявленных закономерностей формирования диэлектрических характеристик.