Особенности Пиннинга Волны Зарядовой Плотности В Квазидвумерных Соединениях

Фролов, А.В.; Орлов, А.П.; Синченко, А.А.; Монсо, П.

doi:10.1134/s0370274x19030123

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В ходе эксперимента было обнаружено, что хранение образца при определённой температуре приводит к увеличению пиннинга волны зарядовой плотности и, соответственно, величины E t в окрестности этой температуры (рис.1). При нагреве образца выше температуры T c пороговое поле уменьшается во всём диапазоне температур и зависимость E t (T) становится линейной [3]. Характерное время экспонирования образца составляет ~ 20 ч. Имеются предпосылки к существованию данного эффекта и в других материалах семейства RTe 3 .…”

unclassified

Управление пиннингом волны зарядовой плотности в соединениях RTe3 без изменения структуры материала / Фролов А.В., Орлов А.П., Шахунов В.А., Синченко А.А., Монсо П.

2019

Тезисы Докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «полупроводники-2019»

View full text Add to dashboard Cite

Трителлуриды редкоземельных элементов RTe3 (R: La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Er, Tm) – единственный на данный момент класс квазидвумерных (слоистых) соединений, в котором достоверно наблюдается скольжение волны зарядовой плотности (ВЗП). Данный эффект проявляется в скачкообразном возрастании проводимости при приложении электрического поля выше порогового E > Et. Величину Et характеризует пиннинг – сцепление волны зарядовой плотности с дефектами кристалла. В квазиодномерных соединениях наблюдается экспоненциальный рост Et при уменьшении температуры и расхождение порогового поля при приближении температуры к пайерлсовскому переходу. В соединениях RTe3, судя по недавно полученным данным, вид зависимости Et(T) принципиально другой: линейное убывание при нагреве с обращением в ноль при T→Tc [1]. В данной работе детально исследовались пороговые вольт-амперные характеристики трителлурида тербия (Tc = 336 K) при разных температурах. Образцы представляли собой мостиковые структуры сечением 5-50 мкм2, вырезанные из монокристаллических плёнок TbTe3 сфокусированным ионным пучком вдоль направления ВЗП [2]. В ходе эксперимента было обнаружено, что хранение образца при определённой температуре приводит к увеличению пиннинга волны зарядовой плотности и, соответственно, величины Et в окрестности этой температуры (рис.1). При нагреве образца выше температуры Tc пороговое поле уменьшается во всём диапазоне температур и зависимость Et(T) становится линейной [3]. Характерное время экспонирования образца составляет ~ 20 ч. Имеются предпосылки к существованию данного эффекта и в других материалах семейства RTe3. Наиболее сильное возрастание порогового поля ожидаемо наблюдалось на образцах, изготовленных из кристаллов, долгое время хранившихся при комнатной температуре; в диапазоне температур около 290K наблюдался широкий максимум Et(T). Похожий эффект наблюдался в сверхпроводниках второго рода на зависимости критического тока от температуры или от магнитного поля. Он получил название пик-эффекта и связан с плавлением решётки вихрей Абрикосова. В нашем случае эффект может быть связан с возникновением при экспонировании образцов структуры центров пиннинга, которая плавится при разрушении состояния с ВЗП.

show abstract

unclassified