Особенности люминесценции гетероструктур ZnO : Te/GaN/Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-

Abstract

Методом газофазной эпитаксии в водороде в проточном реакторе пониженного давления получены качественные гетероэпитаксиальные структуры (0001)ZnO : Te/(0001)GaN/(0001)Аl 2 O 3. Проведен рентгеноструктурный анализ указанных гетероструктур, который показал высокое структурное совершенство тонких слоев оксида цинка. Также изучена морфология поверхности и проведен анализ особенностей ультрафиолетовой фотолюминесценции гетероструктуры ZnO/GaN/Аl 2 O 3 .

Зависимость фотолюминесценции от температуры отжига поликристаллических слоев ZnO : Te/Si(111)

“…Следует отметить, что дефектная полоса, обычно присутствующая в спектрах ФЛ ZnO c максимумом 505−520 nm, разрешилась на линию 483 nm в синей области спектра и 490, 520 nm в зеленой области спектра. Появление пика 483 nm обусловлено акцепторными вакансиями цинка, образующимися при избытке теллура в кристаллической решетке ZnO и приводящими к появлению фазы ZnTe x O 1−x [7,9]. Линии 490 и 520 nm в спектре люминесценции связаны с вакансиями кислорода и цинка соответственно [10].…”

“…Следует отметить, что желто-оранжевая люминесценция в пленках ZnO, полученных методом ХТР в потоке водорода и не прошедших специальную обработку, обычно отсутствует. Данная полоса излучения в области 565−626 nm обусловлена избыточным кислородом или вакансией цинка, локализованных возле каких-либо дефектов структуры [11,12]. В нашем случае люминесценция с максимумами 608 и 626 nm связана с Те, замещающим междоузельный цинк и междоузельный кислород.…”

“…Спектры слоев нелегированного оксида цинка, снятые при температурах 77−300 K, обычно состоят из интенсивной экситонной полосы в районе 390 nm со сдвигом в коротковолновую область при 77 K, а также из дефектной полосы с максимумом в зеленой области (505−515 nm) в зависимости от кристаллической структуры, состава дефектов и технологических условий роста [6]. Ранее в [7] нами была показана возможность получения высококачественных слоев ZnO : Te/GaN/Al 2 O 3 , что подтверждается рентгеноструктурными и морфологическими исследованиями. Выявлены особенности ультрафиолетовой фотолюминесценции (ФЛ) и обнаружено появление дополнительного пика в голубой области спектра на длине волны 458 nm при комнатной температуре.…”

“…Выявлены особенности ультрафиолетовой фотолюминесценции (ФЛ) и обнаружено появление дополнительного пика в голубой области спектра на длине волны 458 nm при комнатной температуре. Анализируя спектры гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) ZnO : Te/GaN/Al 2 O 3 , авторами сделан вывод, что голубая линия (458 nm) является результатом легирования оксида цинка теллуром [7]. Также представляет интерес изучить влияние примеси теллура на оптические свойства поликристаллических слоев оксида цинка и их использование в качестве светоизлучающих устройств.…”