Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках

Abstract

Исследованы особенности формы поверхности эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на канавках шириной в несколько микрометров с вертикальными стенками и аспектным соотношением, близким к единице. Канавки формировались на поверхности пластины GaAs в установке плазмохимического травления, заращивались методом металлоорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении в реакторе. Ключевые слова: плазмохимическое травление GaAs, узкие канавки, эпитаксия GaAs в канавках.