Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)

Abstract

Комплексом структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на оптические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) на темплейтах SiC/por-Si/c-Si. Впервые показано, что использование технологии МПЭ ПА для синтеза GaN на виртуальной подложке SiC/por-Si/c-Si позволило нам получить пленку GaN со значительно более высоким структурным качеством и оптическим совершенством и при значительно более низкой температуре роста, чем в аналогичных работах, в которых демонстрировался рост с использованием пористых подложек Si. Использование нанопористого por-Si слоя позволяет улучшить структурные и морфологические свойства эпитаксиального слоя GaN, а также добиться у него уникальных оптических и электрофизических характеристик. Полученные данные послужат важным материалом для понимания основ физики наногетероструктур GaN/SiC/por-Si, способствуя их потенциальному применению в оптоэлектронике. Ключевые слова: гибридные гетероструктуры, карбид кремния, нитрид галлия, нанопористый кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота.

Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)

“…Подробную информацию о преимуществах роста пленок AlN и GaN на нано-SiC по сравнению с ростом этих пленок на пленках SiC, выращенными по стандартной технологии можно найти в работах [1,2]. Отметим, что если для роста приборных гетерослоев AlN и GaN на гибридных подложках нано-SiC/Si (далее " подложки SiC/Si"), лучше использовать методы газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОС-гидридная эпитаксия) [3] или методы молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПA) [4], то для роста толстых слоев AlN и GaN, бесспорно, незаменимым является метод хлоридгидридной газофазной эпитаксии (ХГФЭ) [2].…”