О фотопроводимости TlInSe-=SUB=-2-=/SUB=-

Abstract

Исследованы вольт-амперные, люксамперные характеристики и кинетика релаксации фотопроводимости монокристаллов TlInSe2. Наблюдаемые аномально большие времена релаксации, tau~103 c, и другие особенности фотопроводимости объясняются по барьерной теории неоднородных полупроводников. Определена высота дрейфового Edr~0.1 эВ и рекомбинационного Er~0.45 эВ барьеров. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44425.8182