О Влиянии Гетерограниц И Толщины На Кинетику Кристаллизации Пленок Аморфного Германия

Abstract

Исследованы процессы кристаллизации пленок аморфного германия различной толщины и многослойных наноструктур германий/кремний, выращенных на стеклянных подложках методом плазмохимического осаждения, при изотермических отжигах 440 • C. Фазовый состав пленок определялся из анализа спектров комбинационного рассеяния света. Установлено, что пленка германия толщиной 200 нм практически полностью кристаллизуется уже после двухчасового отжига, при этом в пленке германия толщиной 6 нм только возникают кристаллические зародыши с объемной долей < 1%. Четырехчасовой отжиг тонкой пленки приводит к заметному росту их размеров и доля кристалличности увеличивается до 40%. Отжиги наноразмерных слоев a-Ge (6 нм), внедренных в матрицу a-Si в тех же условиях продолжительностью 2 и 4 ч, не приводят даже к частичной кристаллизации, слои остаются аморфными. Обсуждается влияние гетерограниц на кристаллизацию слоев германия.Ключевые слова: германий, гетерограницы, кинетика кристаллизации.