2019
DOI: 10.1134/s0023476119020115
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Новая структура для фотопроводящих антенн на основе сверхрешетки {LTG-GaAs/GaAs:Si} на подложке GaAs(111) A

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2020
2020
2020
2020

Publication Types

Select...
1

Relationship

0
1

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(1 citation statement)
references
References 0 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Однако исследований свойств эпитаксиальных пленок GaAs (111)А, полученных в низкотемпературном режиме, в литературе практически нет. В работе [18] показано, что структуры {LT-GaAs/GaAs : Si} (111)А являются монокристаллическими до некоторой толщины порядка 300 nm, выше которой становятся поликристаллическими. После отжига структур в поликристаллических областях не наблюдались преципитаты As, в отличие от структур на подложках (100).…”
Section: Discussionunclassified
“…Однако исследований свойств эпитаксиальных пленок GaAs (111)А, полученных в низкотемпературном режиме, в литературе практически нет. В работе [18] показано, что структуры {LT-GaAs/GaAs : Si} (111)А являются монокристаллическими до некоторой толщины порядка 300 nm, выше которой становятся поликристаллическими. После отжига структур в поликристаллических областях не наблюдались преципитаты As, в отличие от структур на подложках (100).…”
Section: Discussionunclassified