НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ СОВМЕСТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ОКСИДОВ р- И d-ЭЛЕМЕНТОВ ПРИ СОЗДАНИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОВЕРХНОСТИ GaAs И InP ОБЗОР

Abstract

Рассмотрен процесс термооксидирования арсенида галлия и фосфида индия под воздействием бинарных оксидных композиций (хемостимулятор+хемостимулятор и хемостимулятор+инертный компонент). Установлены и интерпретированы нелинейные эффекты зависимости толщины оксидной пленки на поверхности GaAs и InP от состава композиции оксидов-хемостиуляторов. Доказана возможность получения аддитивной во всем интервале составов зависимости толщины оксидной пленки на поверхности GaAs от состава при использовании композиций оксид-хемостимулятор+инертный компонент. Установлена пространственная локализация связывающих взаимодействий между оксидами-хемостимуляторами, которые приводят к наблюдаемым нелинейным эффектам. Синтезированные таким способом тонкие пленки на поверхности GaAs и InP обладают улучшенными электрофизическими свойствами и проявляют газочувствительный отклик в атмосфере газов-восстановителей.
 
 Результаты исследований получены на оборудовании Центра коллективного пользования Воронежского государственного университета. URL:http://ckp.vsu.ru
 Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № №18-03-00354_а