Некоторые Вопросы Теории Полупроводников И Диэлектриков И Пути Дальнейшего Развития Теории

Abstract

1. Феноменологическая теория полупроводни-ков, опирающаяся на уравнение электропроводности и диффузии носителей тока, уревнение Пуассона, экспоненциальную зависимость концентрации носителей тока от температуры и т. п., находится в сравнительно удовлетворительном состоянии в случае не слишком больших полей, не нарушающих теплового равновесия электронов-проводимости, а также когда можно пользоваться понятием локаль-ного теплового равновесия носителей тока (небольшая зависимость-химического потенциала электронов от координат). Сюда относится: диффузионная теория выпрямителей с химическими и контактными запирающими слоями, теория контакта полупроводника с металлом; и контакта двух полупроводников, теория зависимости термоэлектрон-ной работы выхода из полупроводника в вакуум от электрического» поля в вакууме (последнее проникает в полупроводник и постепенна экранируется в нём, вызывая «искривление» энергетических зон).В несколько худшем состоянии находится феноменологическая теория процессов, при которых нарушается локальное тепловое рав-новесие электронов проводимости: теория внутреннего фотоэффекта, рассмотрение тока в полупроводнике с постепенным переходом элек-тронной проводимости в дырочную (п -/7-переход), теория биполяр-ной диффузии, инжекции, теория проводимости, вызванной облуче-нием быстрыми частицами, теория нестационарных релаксационных процессов и т. п. Затруднения здесь связаны с необходимостью отказа от формулы равновесного распределения электронов по энер-гиям и замены её кинетическими уравнениями, содержащими много *) Переработанное и дополненное изложение доклада на VIII Всесоюз-ной конференции по полупроводникам. Литературные ссылки ни в коей мере не претендуют на полноту, а являются лишь примерами, характери-зующими современное состояние теории, и позволяют кратко обозначать различные методы теории. 2*