Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием

Abstract

Проведены исследования направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа ННК GaAs в оболочке AlGaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с разной степенью легирования бериллием. Показано, что нелегированный образец обладает выраженными волноводными свойствами вдоль направления роста. При увеличении степени легирования возрастает интенсивность излучения, направленного перпендикулярно боковым стенкам ННК. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44949.16504

Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs

“…Для наиболее полного использования подобных наноструктур в оптоэлектронных приложениях исследование направленности излучения из КТ в теле ННК является критически важным [12]. Ранее для системы материалов InP/InAs 1−x P x было показано, что ННК могут обладать волноводными свойствами для излучения из КТ, причем изменение отношения диаметра ННК к длине волны излучения из КТ приводит к изменению интенсивности излучения [13,14].…”