При трении друг о друга двух образцов гетерогенного материала -диорита наблюдаются вспышки триболюминесценции. Она возникает при релаксации возбуждения свободных радикалов ≡Si−O•, ионов Fe 3+ и захвата электронов акцепторными ловушками, образующимися при разрушении кристаллической решетки плагиоклаза. Анализ временной зависимости вспышек показал, что на трущихся поверхностях накапливаются кластеры, концентрация свободных радикалов ≡Si−O• и ловушек электронов в которых, по крайней мере, на порядок, чем в их окружении. Временной интервал между появлением двух последующих кластеров изменяется от 0.1 до 1 µs. Линейные размеры кластеров составляют ∼ 0.5 µm.Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 16-05-00137).