Модифицирование Свойств Ферромагнитных Слоев На Основе Соединений a-=sup=-3-=/Sup=-B-=sup=-5-=/Sup=- Импульсным Лазерным Отжигом

Abstract

С целью повышения концентрации электрически-активного Mn в слоях полупроводников A3B5 : Mn выполнены эксперименты по лазерному отжигу. Использован эксимерный лазер LPX-200 на KrF с длиной волны 248 nm и длительностью импульса ~30 ns. Экспериментально показано, что при энергии импульса эксимерного лазера >230 mJ/cm2 концентрация дырок в слоях GaAs : Mn увеличивается до 3·1020 cm-3. Отрицательное магнетосопротивление и аномальный эффект Холла с петлей гистерезиса для отожженных образцов GaAs : Mn сохраняются вплоть до 80-100 K. Аналогичные изменения в результате лазерного отжига наблюдаются и для слоев InAs : Mn. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проект N 8.1751.2017/ПЧ) Минобрнауки России и Программы фундаментальных исследований ОФН РАН II.4 Спиновые явления в твердотельных наноструктурах и спинтроника" (тема 31). DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45049.12k