Моделирование электронного строения C(C2H)4 и Ge(C2H)4 методом теории функционала плотности с использованием данных фотоэлектронной спектроскопии

Abstract

Формирование электронного строения и особенности взаимодействия центральных атомов C и Ge с этинильными группами в C(C≡CH)4 и Ge(C≡CH)4 исследованы методом теории функционала плотности, получены экспериментальные данные фотоэлектронной спектроскопии. Согласно расчетам построены и сопоставлены корреляционные диаграммы энергетических уровней C(C≡CH)4, Ge(C≡CH)4 и C2H2. Проведен анализ распределений плотностей электронных состояний атомов C и Ge в молекулах. На основе теоретических и экспериментальных данных определены основные типы межатомных электронных взаимодействий, обеспечивающих химические связи центральных атомов C и Ge с этинильными группами.