Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм

Abstract

Выполнен анализ нелинейности сток-затворных вольт-амперных характеристик в классических транзисторах Шоттки и транзисторах с двумерным электронным газом на основе соединений AlGaAs/InGaAs/GaAs и InGaAs/GaAs. Проведен анализ влияния эффекта всплеска скорости носителей заряда в канале транзистора для различных профилей легирования исследуемых структур. Ключевые слова: транзисторы Шоттки и HEMT, сток-затворная ВАХ, эффект всплеска скорости носителей заряда.

Изменение Характеристик Полупроводниковых Структур Свч-Усилителей Под Воздействием Импульсного Лазерного Излучения

“…Импульсное ионизирующее лазерное излучение также применяется для оперативного тестирования электронной аппаратуры, так как при его поглощении в полупроводниковых структурах возникает импульс фототока, который генерируется в результате образования электронно-дырочных пар. Тестировать можно как уже изготовленные полупроводниковые приборы, у которых отсутствует верхняя часть корпуса над кристаллом, так и структуры на полупроводниковых пластинах с применением зондовых методов на самых ранних стадиях изготовления электронных приборов [5,6].…”

“…Для установления связи между ионизацией эмитирующим лазерным излучением и высокоэнергетичным рентгеновским излучением можно применять расчетный метод и метод калибровки тормозным излучением, генерируемым импульсным электронным ускорителям с энергией частиц в сотни keV. В расчетном методе необходимо учитывать зонную структуру полупроводникового соединения, отражение лазерного излучения от поверхности, его однородность и глубину поглощения, эффективность рождения электронно-дырочных пар при заданной энергии квантов лазерного излучения [5][6][7]. В настоящей работе расчетный метод осложняется тем, что необходимо учитывать также двухфотонный механизм поглощения лазерного излучения на длине воны 1.06 µm в широкозонной полупроводниковой структуре GaAs.…”